
红星资本局12月25日消息,今日,存储芯片概念走强。截至午间收盘,天奥电子(002935.SZ)涨停,恒烁股份(688416.SH)涨近15%,成都华微(688709.SH)涨超11%,长川科技(300604.SZ)、盈新发展(000620.SZ)等涨超5%。
消息面上,12月24日,财联社援引外媒报道称,三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格,涨幅接近20%。一般而言,在新一代HBM产品面世之前,供应商往往会下调前一代产品价格,因此本次涨价在业内较为罕见。
早在今年10月,有消息称三星电子与SK海力士计划在2025年Q4上调DRAM和NAND闪存价格,涨幅最高达30%,并已有客户开始洽谈2-3年期的长期供应协议,以应对可能出现的存储芯片短缺。

自今年三季度末,受AI需求推动,存储行业开启了“超级周期”,美光科技、三星电子、SK海力士业绩提升。
美光科技财报显示,2026财年第一财季(截至2025年11月27日),公司调整后营收达136.4亿美元,同比增长57%,远超分析师预期的129.5亿美元;经调整净利润为54.82亿美元,同比增长58%。
三星电子2025年第三季度实现营业利润12.16万亿韩元(约合85.6亿美元),同比增长32.2%,远超分析师预期的10.1万亿韩元。SK海力士2025年第三季度实现营业利润11.38万亿韩元,环比增长24%,同比增长62%。
A股上市公司同样表现亮眼,据中国上市公司协会数据,2025年前三季度,文生视频模型加速迭代,AI数据存储需求扩张,存储芯片产业上市公司营收增长16.08%,净利润增长26.44%。
对于存储芯片接下来的走势,红星资本局此前报道,CFM闪存市场资深产业分析师戴晓瑜表示,存储市场上最大的变量来自于AI服务器需求的激增,这一轮数据中心需求爆发带来的订单,预估会持续到2026年年底。
银河证券发布研报称,根据TrendForce集邦咨询最新调查,2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模,涨势转强,并带动整体DRAM价格上扬,预计DRAM价格环比增长18-23%,HBM的ASP增长23%-28%。随着服务器整机出货量年增幅度持续扩大,且因各CSP积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算,Server单机DRAM搭载容量将随之提高,推升整体DRAM位元需求优于预期,看好本轮存储行业上行周期。
编辑 陶玥阳 综合自财联社、21世纪经济报道等
审核 官莉
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